Neuer Silizium-Germanium-Karbid-Transistor schafft 450 GHz
2011-10-12
245 GHz Transit- und 450 GHz Grenzfrequenz bietet ein von Imec in Belgien entwickelter heterojunction bipolarer Transistor (HBT) aus SiGe:C-Material. Gedacht ist dieser Transistor zunächst für Autoradar-Systeme, doch später sollen auch Terahertz-Scanner, bekannt geworden als Flughafen-Nacktscanner, hiermit betrieben werden.
Silizium-Germanium-Karbid gilt als Nachfolger von III-IV-Halbleitern wie Galliumarsenid in der Hochfrequenztechnik. Dadurch, dass die Dotierung des Halbleiters mit Arsen zudem nicht bereits zu Beginn des Prozesses stattfindet, sondern erst zu einem späteren Zeitpunkt, werden die außergewöhnlichen Eigenschaften erreicht, zu denen auch eine Gleichstrom-Stromverstärkung von 400 zählt.
DL2MCD
Kenndaten des neuen Höchstfrequenztransistors